(반도체공정)Lift off 공정이란?

Lift off 공정

 

 

1.      Lift off 공정이 필요한 이유

일반적으로 metal deposition 을 한다면 metal은 식각이 까다로워 일반적인 Photolithography 방식으로는 Patterning 이 쉽지않기에 미세패턴을 만들기도 어렵다. 이때 사용하는 공정이 Lift off 공정이다.

 

Liftoff 공정을 위해서는 negative PR을 Patterning 하여야 한다. Negative PR을 Patterning 하기 위해서는 2가지 방법이 요구된다. Image reversal PR을 사용하는 방법과 LOR PR을 사용하는 방법이다.

 

1.      Image reversal pr 을 사용한 방법 그림

2.      LORPR을 사용한 그림

 

이렇게 negative pr 을 성공적으로 patterning 하였다면 금속을 deposition 하고 이후 PR을 제거하면 된다. 하지만 앞서서 일반적인 PR제거법인 SPM,O2 Plasma ashing, SC2 같은 공정들은 사용하기 어렵다 왜냐하면 해당 공정들은 힘겹게 deposition 한 metal에 까지 영향을 미치기 때문이다 따라서 이때 할 수 있는 방식은 알코올을 이용한 Solvent ashing 이고 이를 이용하여 metal은 건들지 않고 PR과 그위에 있는 metal만을 제거 할 수 있게 된다. 하지만 SPM과 같이 유기물을 제거하는 공정을 사용하지 않기 때문에 PR이 남을수 있다. 또한 PR과 metal 이 떨어져 나가면서 다시 wafer위에서 반응할 수 있기 때문에 현대 미세 공정에서는 활용하기 어렵지만. 미세한 금속 patterning 이 필요한 MESFET, HEMT, TFT 에서는 사용하기도 한다.